
常規沉積塗覆工藝的缺點•₪│:
大量的化學品消耗☁₪╃╃•,汙染嚴重☁▩✘✘。
毛細效應☁₪╃╃•,導致高密度器件表面無法實現塗層☁▩✘✘。
樣品處理前仍然需要進行復雜的清洗工藝以確保塗層黏附性☁▩✘✘。
塗覆有方向性☁₪╃╃•,影響整體防護效果☁▩✘✘。
塗覆會影響樣品的射頻穿透性及產品的外觀☁▩✘✘。
裝置工作原理•₪│:
Pluto-MC利用等離子體改性時☁₪╃╃•,將試樣置於特定的離子處理裝置中☁₪╃╃•,透過高能態的等離子轟擊試樣的表面☁₪╃╃•,將能量傳遞給試樣表層的分子☁₪╃╃•,使試樣發生
熱蝕•₪·、交聯•₪·、降解和氧化反應☁₪╃╃•,並使試樣表面發生C-F鍵和C-C鍵的斷裂☁₪╃╃•,產生大量自由基或引進某些極性基團☁₪╃╃•,從而最佳化試樣表面的效能☁▩✘✘。
等離子體對其改性的主要途徑是引發表面接枝☁₪╃╃•,具體方法是用非聚合氣體(如Ar,H2,O2,N2和空氣等)對樣品表面進行等離子體處理☁₪╃╃•,使其表而形成活性自
由基☁₪╃╃•,之後利用活性自由基引發功能性單體☁₪╃╃•,使其在表面進行接枝聚合☁▩✘✘。利用沉澱反應進行表面改性,這是工業上目前應用最多的方法☁▩✘✘。

產品特點•₪│:
1.13.56MHz射頻電源與自動匹配系統☁₪╃╃•,具備優異的穩定性與可重複性☁▩✘✘。
2.最佳化的氣體饋入與分佈設計☁₪╃╃•,提供優秀的處理均勻性☁▩✘✘。
3.可靈活設定的電極及電極的實時可控☁₪╃╃•,滿足功能材料的大面積可控沉積☁▩✘✘。
4.精準安全的液態源供應系統☁₪╃╃•,滿足不同功能材料的快速大面積沉積☁▩✘✘。
5.PLC提供穩定的過程控制☁₪╃╃•,裝置執行的實時引數透過顯示屏直觀呈現☁▩✘✘。
6.系統設定多級管理許可權☁₪╃╃•,集簡易的操作體驗與嚴謹的工藝管控與一體☁▩✘✘。